| 型号： | DMN100-7-F | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Diodes Inc | 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| DMN100-7-F PDF |  |
| 产品变化通告 | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 产品目录绘图 | SC-59 Package Top SC-59 Package Side |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 240 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 5.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 150pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SC-59-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 产品目录页面 | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | DMN100-FDITR |